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RJK0230DPA
Static Drain to Source On State Resistance
vs. Temperature
5
Pulse Test
4
10000
3000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Preliminary
Ciss
3
2
V GS = 4.5 V
I D = 5 A, 10 A, 20 A
1000
300
Coss
Crss
100
5 A, 10 A, 20 A
1
0
8V
30
10
V GS = 0
f = 1 MHz
–25
0
25
50
75
100 125 150
0
10
20
25
Case Temperature Tc (°C)
Dynamic Input Characteristics
Drain to Source Voltage V DS (V)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
I D = 50 A
15
12
100
80
10 V
5V
Pulse Test
V GS
30
20
V DS
V DD = 20 V
10 V
9
6
60
40
10
V DD = 20 V
3
20
V GS = 0, –5 V
10 V
0
0
20
40
60
80
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
100
80
60
40
20
0
Gate Charge Qg (nc)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Source to Drain Voltage V SD (V)
25
50
75
100
125
150
Channel Temperature Tch (°C)
R07DS0541EJ0110 Rev.1.10
Sep 12, 2011
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